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Gemini 物镜的设计结合了静电场与磁场, 在提升光学性能的同时将它们对样品的影 响降至低。因此,即便是要求苛刻的样 品 —— 如磁性材料,也能进行成像。 在 Gemini 镜筒设计理念中, Inlens 用二次 电子( SE ) 和背散射电子( BSE ) 探测器来 确保的信号检测。
充分发挥 Gemini 2 型光学系统的性能优势
GeminiSEM 460 的 特 殊 之 处 在 于 配 备 的 Gemini 2 型光学系统主要运用了双聚光镜, 在获得理想的小电子束斑同时可连续调节束 流。这使高电子束能量密度下的低束流高分 辨率成像和高束流分析得到了。此外, 您也可以在不同的成像模式之间进行无缝切 换或更改成像参数。此操作简便快速,因为 在更改成像参数后无需进行校准,而且经调 校的扫描电镜可以保持稳定地工作。
智能自动光路调节( Smart Autopilot)
与 Nano-twin 物镜相结合,新的智能自动光 路调节让您受益于以下特点:
• 通过聚光镜优化所有工作条件下的电子束 会聚角,在每种工作能量下都能获得出色 的分辨率。
全套探测系统: 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒,并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。
背散射电子产生于样品表面之下,可提供 样品材质成分的衬度信息。背散射电子通 常以与入射电子束成 15 度角的圆锥状出 射, 被 Gemini 镜筒电子束推进器吸入后射 到镜筒内。由于二次电子( SE ) 与背散射 电子( BSE ) 具有不同的能量,它们会在电 子束推进器内产生不同轨迹。
大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器,并被 EsB 探测器收集。此外, Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度, 则 BSE 无法进入镜 筒,但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率,且能实现超速成像。