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面向地区 |
全国 |
现存技术瓶颈
针尖制备成品率：单晶针尖合格率不足30%
热场致发射干扰：电流稳定性在10^-3 A水平波动约5%
样品兼容性：于导电材料分析
电子源开发
单晶钨场发射体的亮度比热阴10^5倍，应用于高分辨率电子显微镜（如JEOL JEM-F200）中，束斑直径<1 nm。
关键技术参数
真空度：需维持<10^-8 Torr以防止气体电离干扰
针尖制备：曲率半径50-100 nm的单晶金属针尖
工作电压：1-20 kV（视材料功函数调整）
