河北卡尔蔡司电子显微镜工作原理

Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上， 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外， 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压， 直至出镜筒后才减速 至设定电压， 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。

Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外，它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如， 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品， 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。

Gemini 3 型镜筒介绍
Gemini 3 型镜筒是专为表面灵敏成像领域 的苛刻任务而设计，它确保成像在 1 kV 至 30 kV 的所有工作条件下都能达到高分 辨率。它由两个协同工作的组件组成，即 Nano-twin 物镜和智能自动光路调节—— 它 们组成一个全新的电子光学引擎。 BSE 的优 势也可以为您提供良好的图像衬度，让您可 以从样品中提取出尽可能多的信息。

Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布， 获得出色的信号 探测效率， 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说， 与标准的 Gemini 物镜相比，它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍， 约 为 1mT ，并能够进行 1kV 以下亚纳米成像， 而无需将样品浸没在电磁场中。

全套探测系统： 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒，并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。

大部分的背 散射电子能够穿过 Inlens SE 探测器，并被 EsB 探测器收集。此外， Inlens EsB 探测器 还可有选择地收集不同能量的背散射电子。 如果出射角大于 15 度， 则 BSE 无法进入镜 筒，但会被 AsB (角度选择背散射) 或可 抽插式 aBSD 探测器探测到。aBSD 探测器 能够提供样品的成分衬度、形貌和 3D 表面 信息。样品室背散射电子探测器( BSD )和 扫描透射电子探测器可以在低加速电压下 拥有更率，且能实现超速成像。

扩展功能
■ 与蔡司电镜可实现联用, 实现样品的多尺 度多维度研究;
■ 搭载第三方配件, 如冷热台, 拉伸台, 实 现样品原位 4D 分析;
■ 搭载 Airyscan 实现高分辨荧光成像;
■ 配置 ZEN Intellesis 软件提供基于机器学习 的图像分割解决方案,可用于鉴别复杂样 品的不同相组织。

产品应用领域
■ 金属 / 高分子 / 陶瓷材料
表面粗糙度分析, 高分辨金相分析, 摩擦磨损分析, 断口分析, 腐蚀研究, 原位分析。
■ 微纳加工
结构分析,表面粗糙度分析, 高深宽比结构表征,膜厚测量。
■ 半导体和微电子
表面缺陷定位和分析、发光缺陷观察,表面粗糙度分析,膜厚测量等。
■ 医疗器械检测
表面粗糙度分析,金相分析,膜厚测量,微生物观察等。
■ 生物材料和医学
金属表面细胞生长研究, 微生物金属腐蚀研究, 植入物表面细菌生长表征等。

成像灵活.光学显微镜和共聚焦显微镜二合一
■ 实现反射光和透射光的观察, 同时也可进 行形貌表征;
■ 使用宽场观察方式实现样品的定位, 便于 共聚焦显微镜进—步原位分析;
■ 无需切换显微镜, 减少仪器设置时间, 提 高获得结果的效率。