山西场发射显微镜通道

全功能3D 可视化和数据分析平台
• 使用强大而直观的分割和分析工具找到
量化结果
• 创建引人入胜的视觉媒体
专为支持显微镜技术人员的需求而设计
• 用于集成多尺度关联显微技术的通用工作
站，跨度涵盖厘米到纳米。
• 简单直观的用户界面
• 可使用Python 定制

研究方向
原位表征技术：集成气体注入系统实现催化反应实时观测（如Hiden Analytical的FEM-Reactor附件）
超快场发射：飞秒激光激发下的瞬态场发射动力学研究
机器学习辅助分析：采用卷积神经网络自动识别表面缺陷（识别准确率达92%）

现存技术瓶颈
针尖制备成品率：单晶针尖合格率不足30%
热场致发射干扰：电流稳定性在10^-3 A水平波动约5%
样品兼容性：于导电材料分析

电子源开发
单晶钨场发射体的亮度比热阴10^5倍，应用于高分辨率电子显微镜（如JEOL JEM-F200）中，束斑直径<1 nm。

纳米材料表征
碳纳米管场增强因子可达3000，发射电流密度达10^7 A/cm²
石墨烯边缘缺陷位点显示局部场发射增强现象

表面吸附动力学研究
通过实时观测吸附原子在W(110)表面的迁移过程，测得Au原子的扩散激活能为0.8 eV，与理论计算误差<5%。实验中观察到台阶边缘对吸附原子的钉扎效应。